品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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类型:N沟道
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
输入电容:1388pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
导通电阻:235mΩ@11A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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