品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY100NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9600pF@50V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@49A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:591nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11826pF@100V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@45A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY100NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9600pF@50V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@49A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:591nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11826pF@100V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@45A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN019N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@14.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:282nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15993pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19.3mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT18M100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4845pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY139N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:363nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@100V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@65A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT12060LVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:650nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@10A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT42F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6810pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@21A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:591nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11826pF@100V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@45A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT22F80B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4595pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@12A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY112N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16870pF@100V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY139N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:363nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@100V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@65A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: