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    品牌: RENESAS
    包装方式: 管件
    工作温度: 175℃
    当前匹配商品:10+
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    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订162个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订162个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€217W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0 起订2个装
    RENESAS IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH65T14DPQ-A0#T0

    包装方式:管件

    关断延迟时间:125ns

    反向恢复时间:250ns

    关断损耗:1.2mJ

    开启延迟时间:38ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):1.75V@15V,50A

    导通损耗:1.3mJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订136个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订136个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€217W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€217W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0 起订10个装
    RENESAS IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH65T14DPQ-A0#T0

    包装方式:管件

    关断延迟时间:125ns

    反向恢复时间:250ns

    关断损耗:1.2mJ

    开启延迟时间:38ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):1.75V@15V,50A

    导通损耗:1.3mJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":2400}

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    栅极电荷:60nC@10V

    连续漏极电流:80A

    输入电容:3600pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:175℃

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    功率:1.8W€120W

    包装方式:管件

    漏源电压:55V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 起订2个装
    RENESAS IGBT RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RBN75H65T1FPQ-A0#CB0

    包装方式:管件

    关断延迟时间:113ns

    反向恢复时间:72ns

    关断损耗:1mJ

    开启延迟时间:29ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:54nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2V@15V,75A

    导通损耗:1.6mJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 起订1个装
    RENESAS IGBT RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RBN40H125S1FPQ-A0#CB0

    包装方式:管件

    关断延迟时间:124ns

    反向恢复时间:156ns

    关断损耗:1.4mJ

    开启延迟时间:25ns

    集电极截止电流(Ices):1250V

    栅极电荷:85nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.34V@15V,40A

    导通损耗:2mJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€217W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N055MHE-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04MUG-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€217W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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