品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€217W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH65T14DPQ-A0#T0
包装方式:管件
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:250ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.75V@15V,50A
导通损耗:1.3mJ
工作温度:175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€217W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€217W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH65T14DPQ-A0#T0
包装方式:管件
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:250ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.75V@15V,50A
导通损耗:1.3mJ
工作温度:175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":2400}
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
输入电容:3600pF@25V
类型:N沟道
工作温度:175℃
导通电阻:11mΩ@40A,10V
功率:1.8W€120W
包装方式:管件
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
包装方式:管件
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:29ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:54nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:1.6mJ
工作温度:175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
包装方式:管件
关断延迟时间:124ns
反向恢复时间:156ns
关断损耗:1.4mJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):1250V
栅极电荷:85nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.34V@15V,40A
导通损耗:2mJ
工作温度:175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€217W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MHE-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04MUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€217W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: