采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB1R4CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：257.3pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM043NB04CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4928pF@20V
连续漏极电流：16A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP350PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@9.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB11N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB13N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1910pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@840mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
