品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):FQPF19N20
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
功率:50W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.8A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:41W
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
导通电阻:140mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP39N20
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:39A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:251W
栅极电荷:49nC@10V
输入电容:2130pF@25V
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP19N20
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
功率:140W
包装方式:管件
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP52N20
导通电阻:49mΩ@26A,10V
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:63nC@10V
连续漏极电流:52A
漏源电压:200V
输入电容:2900pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":603}
规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G
功率:35W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
导通电阻:140mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7P20
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:5.2A
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:770pF@25V
类型:P沟道
包装方式:管件
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP61N20
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:61A
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":895,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP39N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:251W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP39N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:251W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP34N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: