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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
输入电容：1278pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26.4nC@10V
类型：N沟道
功率：50W
漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI25N60N-F102
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
