品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":46,"23+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0604N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@41A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0602N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7730pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0604N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@41A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10P6F6
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0602N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7730pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0602N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7730pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10P6F6
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CH X0G
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":4000,"17+":1208,"9999":84}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4094-1E
工作温度:150℃
功率:1.75W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1200}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-A0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: