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    包装方式: 管件
    工作温度: 150℃
    行业应用: 工业
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":46,"23+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ661-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0604N-S19-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0604N-S19-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0604N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€156W

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@41A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5065 起订180个装
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5065 起订180个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SLA5065

    工作温度:150℃

    功率:4.8W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:4个N通道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0602N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€156W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7730pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0604N-S19-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0604N-S19-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0604N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€156W

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@41A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10P6F6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF10P6F6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10P6F6

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0602N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€156W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7730pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0602N-S19-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0602N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€156W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7730pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ661-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订184个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订184个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10P6F6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF10P6F6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10P6F6

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订78个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订78个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订103个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订103个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CH X0G 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CH X0G 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CH X0G

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4094-1E 起订152个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4094-1E 起订152个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":4000,"17+":1208,"9999":84}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4094-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.75W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-A0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-A0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1200}

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-A0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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