品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:180W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
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包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
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包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21NM60ND
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW18NM80
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM80
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM80
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM80
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: