采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDFP03N150CG
工作温度：150℃
功率：2W€32W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：17100，"23+"：810，"MI+"：540}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30，"23+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
