采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
