采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.26Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：50W
漏源电压：1500V
导通电阻：12Ω@1A，15V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：990pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-80-E#T2
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
