包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N70X2
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTU4N70X2
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTU4N70X2
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10Q60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:04+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N70X2
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTU4N70X2
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: