采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1521
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1058-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
漏源电压：160V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
