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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：193mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
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规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：650V
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功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：193mΩ
漏源电压：650V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
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连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
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栅极电荷：32nC
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连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
栅极电荷：32nC
功率：156W
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连续漏极电流：8.4A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：168mΩ
阈值电压：5V
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类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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