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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2224N3-G
连续漏极电流：540mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@5mA
类型：N沟道
包装方式：袋
漏源电压：240V
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：1W
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：350mA
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装方式：袋
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
连续漏极电流：120mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：175mA
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
包装方式：袋
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@2mA
输入电容：150pF@25V
漏源电压：600V
连续漏极电流：160mA
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：175mA
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：1.6V@1mA
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.5A，10V
连续漏极电流：700mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：300pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：300mΩ@3A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
输入电容：70pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6661
漏源电压：90V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：VN2210N2
输入电容：500pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
漏源电压：500V
包装方式：袋
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@1mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G
包装方式：袋
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
功率：400mW€1W
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：300pF@25V
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
连续漏极电流：136mA
导通电阻：20Ω@150mA，0V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：640mA
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
阈值电压：1.6V@1mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：200V
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
连续漏极电流：120mA
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2406L-G
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
包装方式：袋
漏源电压：240V
连续漏极电流：190mA
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
输入电容：500pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
功率：740mW
包装方式：袋
导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0606L-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
功率：1W
类型：N沟道
连续漏极电流：330mA
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
阈值电压：1V@1mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：20V
连续漏极电流：530mA
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
漏源电压：300V
导通电阻：12Ω@150mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：1W
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
