采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：1175，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：1175，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
功率：625mW
集电极电流(Ic)：1.2A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
工作温度：55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
