销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：剪切带（CT）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：200MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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功率：625mW

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特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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包装方式：剪切带（CT）

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

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生产批次：{"08+"：1951，"10+"：534，"11+"：767，"13+"：55970，"14+"：20000，"15+"：48000，"17+"：2000，"9999"：7，"MI+"：2000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：剪切带（CT）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：200MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

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工作温度：150℃

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包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1175，"MI+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

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工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

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包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

功率：625mW

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

工作温度：150℃

包装方式：剪切带（CT）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1