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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
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功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
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功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
输入电容：2500pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
阈值电压：3.8V@55µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：17A€98A
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
功率：3W€107W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
漏源电压：30V
类型：N沟道
输入电容：6810pF@15V
栅极电荷：117nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
连续漏极电流：100A
包装方式：剪切带（CT）
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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