采购热线 400-661-9010
品牌：芯导
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：扬杰（YANGJIE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V
输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：扬杰（YANGJIE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V
输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
