品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":3000,"20+":39000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":12200,"11+":3000,"13+":23530,"14+":9000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电集截止电流(Icbo):1µA
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
输入电阻:47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: