采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：310mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：310mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：PNP
功率：200mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：310mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
工作温度：-55℃~150℃
晶体管类型：NPN
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：NPN-预偏压+二极管
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：PNP
功率：200mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：19+
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：NPN-预偏压+二极管
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
