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    行业应用: 工业
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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"15+":129500}

    输入电阻:2.2kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA114YET1G 起订35个装
    onsemi 数字晶体管 DTA114YET1G 起订35个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"08+":13500,"09+":12000,"10+":9000,"11+":627000,"12+":11000,"15+":48000,"21+":46500,"22+":123000,"23+":54000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订28个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订28个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5133T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5133T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订18个装
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订900个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订900个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT3G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2114LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2114LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA115EET1G 起订23个装
    onsemi 数字晶体管 DTA115EET1G 起订23个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:100kΩ

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订26个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA143ZET1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA143ZET1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"13+":147000,"22+":81000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订163个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订163个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2136T1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2136T1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:100kΩ

    功率:230mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G 起订33个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G 起订33个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA123JM3T5G 起订10461个装
    onsemi 数字晶体管 DTA123JM3T5G 起订10461个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"17+":64000,"04+":17150,"06+":89100}

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:260mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订57个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订57个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114YM3T5G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114YM3T5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:260mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"06+":25333,"13+":255000,"23+":9000}

    输入电阻:2.2kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订16个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5135T1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA115EET1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 DTA115EET1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:100kΩ

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2113T1G 起订30个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2113T1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:230mW

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订13个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G 起订5834个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G 起订5834个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"07+":17960,"19+":15000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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