销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1