品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"02+":9000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":18000,"06+":28000,"16+":27000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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集射极击穿电压(Vceo):50V
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晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
功率:202mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:1519
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1519
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: