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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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功率：200mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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生产批次：{"14+"：201000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
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晶体管类型：PNP-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
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集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
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输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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功率：200mW
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