销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10KΩ

晶体管类型：PNP

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1