采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：202mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"17+"：72000，"12+"：207000，"19+"：2899，"06+"：30000}
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
输入电阻：100kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"23+"：15000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
功率：202mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"05+"：30000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
功率：400mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"05+"：6000，"06+"：304476}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
输入电阻：100kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
功率：400mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装规格(MPQ)：70psc
输入电阻：2.2kΩ
功率：260mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：296000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
功率：254mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
功率：400mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
