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    品牌: ON SEMI
    集电极电流(Ic): 100mA
    行业应用: 其它
    集电集截止电流(Icbo): 500nA
    当前匹配商品:3400+
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    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订32个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2111T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2111T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:46
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":24000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8362
    onsemi 数字晶体管 MUN2132T1
    onsemi 数字晶体管 MUN2132T1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":18000,"06+":21000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2131LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2131LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):8@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订17个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":1643,"12+":10277,"13+":3397,"15+":2000,"17+":2439,"19+":13}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":52320,"07+":18000,"08+":3000,"10+":72000,"13+":186000,"15+":108000,"16+":108000,"MI+":18000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN531335DW1T3G
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN531335DW1T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧,47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧,2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:385mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:200
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":1029990,"05+":184000,"10+":8000,"11+":15550,"12+":55575,"13+":16000,"14+":6850,"15+":8000,"16+":5777,"21+":16000,"22+":104000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8651
    onsemi 数字晶体管 SMUN5335DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 SMUN5335DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:187mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 MUN5211T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5211T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":44000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 NSM21356DW6T1G
    onsemi 数字晶体管 NSM21356DW6T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":321000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA / 650mV @ 5mA,100mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V,65V

    功率:230mW

    晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:112
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":152000,"11+":98746}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8362
    onsemi 数字晶体管 MMUN2132LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2132LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 SMUN2213T1G
    onsemi 数字晶体管 SMUN2213T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC144WET1G 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC144WET1G 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":93000,"21+":2900}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8013
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5111DW1T3G 起订10个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5111DW1T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    onsemi 数字晶体管 DTC144TT1
    onsemi 数字晶体管 DTC144TT1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":14980}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTA114EET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":1450,"06+":62000,"9999":260}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN2230T1G 起订5358个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2230T1G 起订5358个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"07+":3000,"11+":84000,"16+":102000,"18+":108000,"22+":108000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5358
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