销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：PNP

功率：200mW

集电极电流(Ic)：-30mA

工作温度：-55℃~150℃

输入电阻：47KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

晶体管类型：PNP

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：30000}

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：200MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：30mA

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

输入电阻：47KΩ

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1