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销售单位：个

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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生产批次：{"18+"：93855}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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特征频率：200MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

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销售单位：个

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生产批次：{"13+"：33000，"14+"：21000，"16+"：18000，"17+"：13827，"21+"：26269，"22+"：45000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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生产批次：{"11+"：9000，"15+"：3596，"17+"：54000，"20+"：36000，"21+"：15000，"22+"：111000}

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

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功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

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特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：35965，"15+"：997，"17+"：36000，"18+"：111000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

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ECCN：EAR99

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输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

功率：100mW

包装清单：商品主体 * 1