采购热线 400-661-9010
品牌：先科（SAST）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
电阻比：0.213
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：扬杰（YANGJIE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V
输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：先科（SAST）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
电阻比：0.213
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：270mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：1
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：2332，"22+"：48000}
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：270mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：339mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
