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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：38698}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
销售单位：个
特征频率：180MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 500µA，10mA
输入电阻：4.7kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：47kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：340mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：4.7kOhms
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
电阻比：4.7kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：4.7kOhms
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
电阻比：4.7kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
销售单位：个
功率：246mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
输入电阻：4.7kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：47kOhms
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
