采购热线 400-661-9010
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
