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品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：50V
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
输入电阻：4.7kΩ
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
功率：200mW
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：50V
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
