销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
功率:625mW
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
功率:625mW
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
功率:625mW
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
功率:625mW
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存: