销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

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输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMST6427-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

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ECCN：EAR99

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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包装清单：商品主体 * 1