品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1V@100μA,5V
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:460mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1V@100μA,5V
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:460mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1V@100μA,5V
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:460mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1V@100μA,5V
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:460mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: