销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV29，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2990，"20+"：3000，"21+"：2758416，"22+"：88822}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：16000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28E6327HTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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ECCN：EAR99

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：33000，"22+"：27000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV29，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV29，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：137498，"15+"：145000，"16+"：5135，"20+"：9000，"21+"：1711}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28H6327XTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

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特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

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特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

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特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV26，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1