品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":35853}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV46TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV46TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV46TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:100MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: