首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    集电极电流(Ic)
    工作温度
    功率
    晶体管类型
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    集电极电流(Ic): 500mA
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi 达林顿管 MMBTA64LT1G 起订数711000个
    onsemi 达林顿管 MMBTA64LT1G 起订数711000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数9000个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数9000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数30000个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数30000个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    晶体管类型:NPN

    功率:225mW

    集电极电流(Ic):500mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数825000个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数825000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数100个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数600个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数600个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数1000个
    onsemi 达林顿管 MMBT6427LT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:225mW

    集电集截止电流(Icbo):1μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧