销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：20μA

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP110G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP110G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP110G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP110G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TIP110G

晶体管类型：NPN

包装方式：管件

集射极击穿电压(Vceo)：60V

功率：2W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电集截止电流(Icbo)：2mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1