销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：120MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST51，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX605TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1