销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD1834T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: