销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTP05120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@2mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1610
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"05+":2430,"11+":21000,"12+":1000,"13+":4361}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP60E6327
集射极击穿电压(Vceo):45V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10μA
特征频率:200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP 52 E6327
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP 52 E6327
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"06+":33700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP60
集射极击穿电压(Vceo):45V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10μA
特征频率:200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTP05120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@2mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTP05120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@2mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTP05120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@2mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP61H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"15+":1000,"18+":4000,"21+":687}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP60H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):45V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
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特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
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集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
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晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
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晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1610
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: