采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：1012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D7DPQ-E0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：190ns
反向恢复时间：100ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：130nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.1mJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：10350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：10350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N120FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：282ns
反向恢复时间：256ns
关断损耗：1.4mJ
开启延迟时间：118ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：311nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：4.4mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：10350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOK50B65M2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：182ns
反向恢复时间：327ns
关断损耗：1.03mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：102nC
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：2.09mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：10350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N120FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：282ns
反向恢复时间：256ns
关断损耗：1.4mJ
开启延迟时间：118ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：311nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：4.4mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N120FL2WG
集电极脉冲电流(Icm)：200A
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
开启延迟时间：118ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
反向恢复时间：256ns
导通损耗：4.4mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
栅极电荷：311nC
关断损耗：1.4mJ
关断延迟时间：282ns
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
工作温度：175℃
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOK50B65M2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：182ns
反向恢复时间：327ns
关断损耗：1.03mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：102nC
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：2.09mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW50N65T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：37.5ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：123nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：3mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：10350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA5065ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：62.4ns
反向恢复时间：31.8ns
关断损耗：309µJ
开启延迟时间：20.8ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：72.2nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.35mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：1012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D7DPQ-E0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：190ns
反向恢复时间：100ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：130nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.1mJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：1012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D7DPQ-E0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：190ns
反向恢复时间：100ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：130nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
导通损耗：1.1mJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
