采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"09+"：8000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：23187}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，12V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：18418，"20+"：120000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：23187}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，12V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：65000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：480mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"09+"：8000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"17+"：23187}
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集射极击穿电压(Vceo)：50V，12V
输入电阻：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
特征频率：280MHz
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
功率：300mW
电阻比：10千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
