采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"24+"：30000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：4995，"18+"：5000，"19+"：4880}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：230mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：230mW
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：230mW
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：230mW
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
