品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"15+":1884,"22+":18000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":72000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA / 210mV @ 100mA,1.8A
集电集截止电流(Icbo):1µA,100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V / 200 @ 1A,2V
集电极电流(Ic):100mA,1.8A
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V,20V
特征频率:130MHz
功率:760mW
晶体管类型:1 PNP 预偏压式,1 PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
功率:250mW
输入电阻:10千欧
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
特征频率:130MHz
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"15+":1884,"22+":18000}
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
功率:250mW
输入电阻:10千欧
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
特征频率:130MHz
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"22+":3743,"MI+":1576}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:130MHz
功率:250mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
功率:250mW
输入电阻:10千欧
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
特征频率:130MHz
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: