销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1610
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2212T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):2A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2212T100
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):2A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):1µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:2W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@5mA,500mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V
集电极电流(Ic):1A
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):60V
特征频率:80MHz
功率:1.5W
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: