销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP60，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：16000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28E6327HTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100μA，100mA

ECCN：EAR99

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1547

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP60，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1537

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP61，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB852KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-40V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB852KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-500mA

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB852KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：4000，"19+"：137700}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1